NTMFS4935NT1G 标准包装 1,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族FET - 单系列-其它名称NTMFS4935NT1G-ND NTMFS4935NT1GOSTR 

规格
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）13A（Ta），93A（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）3.2 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）2.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）49.4nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）4850pF @ 15V功率 - Zui大值930mW工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerTDFN，5 引线
器件封装5-DFN，8-SO 扁引线（5x6） 

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FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）13A（Ta），93A（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）3.2 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）2.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）49.4nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）4850pF @ 15V功率 - Zui大值930mW工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerTDFN，5 引线
器件封装5-DFN，8-SO 扁引线（5x6） 

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器件封装5-DFN，8-SO 扁引线（5x6） 

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FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）13A（Ta），93A（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）3.2 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）2.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）49.4nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）4850pF @ 15V功率 - Zui大值930mW工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerTDFN，5 引线
器件封装5-DFN，8-SO 扁引线（5x6）